9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB24NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB24NM65N参考价格为1.526美元。STMicroelectronics STB24NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK。您可以下载STB24NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB24N65M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置是单一的，该器件提供150 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25.5 ns，上升时间为9.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-源极电阻为185mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强。
STB24N60M2是MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK，包括4 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh M2系列，该器件的上升时间为9 ns，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为150 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为61 ns。
STB24NM60N是MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK，包括37纳秒的下降时间，它们设计为在17 a Id连续漏电流下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装盒设计为在to-252-3中工作，该器件也可以用作125W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为46 nC，器件提供168 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有16.5 ns的上升时间，串联为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为600 V，并且Vgs栅极-源极电压是30V，并且Vgs第二栅极-源阈值电压是3V。
