9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MTD6N15T4GV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MTD6N15T4GV参考价格为1.03美元。onsemi MTD6N15T4GV封装/规格：MOSFET N-CH 150V 6A DPAK。您可以下载MTD6N15T4GV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MTD6N15T4G是MOSFET N-CH 150V 6A DPAK，包括MTD6N15系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有20W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，下降时间为100 ns，上升时间为180 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为200ns，典型接通延迟时间为50ns，正向跨导最小值为2.5S，沟道模式为增强型。
MTD6N10T4带有ON制造的用户指南。MTD6N110T4采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
带有ON制造的电路图的MTD6N15。MTD6N16可在SOT-252封装中获得，是FET的一部分-单个。
MTD6N15T4是ON公司制造的MOSFET N-CH 150V 6A DPAK。MTD6N15 T4可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH150V 6A DPE、N沟道150V 6A（Tc）1.25W（Ta）、20W（Tc）表面安装DPAK。
