9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STV250N55F3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STV250N55F3参考价格为3.674美元。STMicroelectronics STV250N55F3封装/规格：MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO。您可以下载STV250N55F3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STV240N75F3是MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-10等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1沟道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供300 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为240 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
STV2310D4R和用户指南STV2310D4 R在ST封装中提供，是IC芯片的一部分。
STV2310D-V4.2A，带有ST制造的电路图。STV2310D-V4.2A采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
STV2310-V4.2A带有ST制造的EDA/CAD模型。STV2310-V4.2A采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
