9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP80N04S303AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP80N04S303AKSA1参考价格为0.87000美元。Infineon Technologies IPP80N04S303AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。您可以下载IPP80N04S303AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPP80N04S303AKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPP80N04S2L-03是MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP80NO4S2L03AKSA1 IPP80NO 4S2L03KK SP000219063，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IPP80N04S3-03是MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为39 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T系列，上升时间为17 ns，漏极电阻Rds为3.5 mOhms，Pd功耗为188 W，零件别名为IPP80N04S303AKSA1 IPP80NO4S303XK SP000261229，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP80N04S-2-04是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。IPP80N04S-2-04采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。
IPP80N04S-2-04（2N04-04），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP80N04S-2-04（2N04-04）采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
