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IPP80N06S2-05是MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP80NO6S205AKSA1 IPP80NO 6S205XK SP000218873中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
IPP80N04S4-04是MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，漏极源极电阻Rds为4.2毫欧，该器件采用IPP80N04S404AKSA1 IPP80NO4S404XK SP000646196零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为80 a。
IPP80N04S4L-04是MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2，包括80A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行。数据表注释中显示了用于to-220-3的封装盒，该封装盒提供管等封装功能，零件别名设计用于IPP80NO4S4L04AKSA1 IPP80NO 4S4L04XK SP000646198，该器件还可以用作OptiMOS-T2系列。此外，该技术为硅，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
IPP80N06S2-05（2N0605），带有INF/EDA/CAD型号。IPP80NO6S2-05，2N0605，TO-220封装，是IC芯片的一部分。
