9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD200N15N3GBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD200N15N3GBTMA1参考价格为9.394美元。Infineon Technologies IPD200N15N3GBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3。您可以下载IPD200N15N3GBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD200N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPD200N1 5N3GBTMA1 IPD200N 5N3GXT SP000386665的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IPD200N15N3GATMA1带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计为与G IPD200N25N3 SP001127820零件别名一起操作。数据表说明中显示了用于卷筒的包装，该卷筒提供to-252-3等包装箱功能。
IPD200N15N3G是由infineon制造的Trans-MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3引脚（2+Tab）DPAK T/R。IPD200N15N3G采用TO-252封装，是FET的一部分-单个，支持Trans-MOSFET N-CH 150V 50A汽车3引脚（2+Tab）DPAK T/R。
