9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5406CDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5406CDC-T1-GE3参考价格为1.618美元。Vishay Siliconix SI5406CDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8。您可以下载SI5406CDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5404BDC-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8，包括卷盘封装，它们设计用于SI5404BDC E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于ChipFET-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为5.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为28mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
SI5404DC，带有VISHAY制造的用户指南。SI5404DC提供1206-8封装，是IC芯片的一部分。
SI5404DC-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI5404DC-T1采用1206-8 ChipFET封装，是IC芯片的一部分。
SI5404DC-T1-E3是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8引脚片式FET T/R。SI5404DC-T1-E3采用1206-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8引脚芯片FET T/R。
