这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源和功率因数校正
IRFP460C
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）
- 供应商设备包装 TO-3P
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 最大功耗 235W（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 170 nC@10 V
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 240毫欧姆@10A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6000 pF @ 25 V
IRFP460C 产品详情
一般说明
这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源和功率因数校正
这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源和功率因数校正
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IRFP460C所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFP460C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFP460C价格参考￥59.623553，你可以下载 IRFP460C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFP460C规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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