9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDF04N62ZG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDF04N62ZG参考价格0.28000美元。onsemi NDF04N62ZG封装/规格：MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP。您可以下载NDF04N62GG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDF04N60ZH是MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为19nC，正向跨导最小值为3.3S。
NDF04N60ZG是MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP，包括4.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作1.8欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为19 nC，该器件提供28 W Pd功耗，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1个通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4.4 a，正向跨导Min为3.3S。
NDF04N60ZG-001，电路图，包括Si技术。
