9icnet为您提供由onsemi设计和生产的IRLR120ATF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。IRLR120ATF参考价格为0.918美元。onsemi IRLR120ATF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK。您可以下载IRLR120ATF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLR110TRPBF是MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为250pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A（Tc），最大Id Vgs的Rds为540 mOhm@2.6A，5V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.1nC@5V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为4.3A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为540mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为9.3ns，沟道模式为增强。
IRLR120是MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为64 ns，器件的漏极-源极电阻为270 mOhms，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为7.7 A，下降时间为27 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRLR1205TRPBF带有由IR制造的电路图。IRLR1205 TRPBF以SOT252封装形式提供，是IC芯片的一部分。
