9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的SSM3J114TU（T5L，T），该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SSM3J114TU（T5L，T）参考价格$19.15。东芝半导体和存储SSM3J114TU（T5L，T）封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM。您可以下载SSM3J114TU（T5L，T）英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SSM3J112TU（TE85L）是MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin，包括卷筒封装，它们设计为以0.004395盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如SOT-323-3，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供800 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，漏极-源极电阻Rds为610毫欧姆，晶体管极性为P沟道，正向跨导最小值为1S/0.5 S，沟道模式为增强。
SSM3J113TU（TE85L）是MOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1个P沟道的晶体管类型，提供了晶体管极性特性，如P沟道，该器件还可以用作800mW Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用UFM-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为-1.7 a，正向跨导最小值为2.7 S/1.3 S，并且配置为单一，信道模式为增强。
SSM3J112TU TE85L，带有东芝制造的电路图。SSM3J112TU TE85L提供3-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM。
