9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB23NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB23NM60N参考价格为0.9美元。STMicroelectronics STB23NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK。您可以下载STB23NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB23NM50N是MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK，包括MDmesh？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为125W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为1330pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为17A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为190 mOhm@8.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为45nC@10V，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极源极电压为25 V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极电阻为162mOhm，晶体管极性为N沟道。
STB230NH03L是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK。STB230NH03L有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 80V D2PAK，N沟道30V 80B（Tc）300W（Tc，表面安装D2PAK）。
STB23N80K5，带有ST制造的电路图。STB23T80K5采用TO263封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N沟道800V、N沟道80V 16A（Tc）190W（Tc）表面安装D2PAK、Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3引脚（2+Tab）D2PAK T/R、MOSFET N信道800V、0.23 O典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET。
