9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7160DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7160DP-T1-GE3参考价格为0.988美元。Vishay Siliconix SI7160DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8。您可以下载SI7160DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7160DP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7157DP-T1-GE3是MOSFET-20V.0016ohm@-10V-60A P-Ch，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计用于PowerPAK SO-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有104 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-60 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-500mV至-1.4V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.25mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为220ns，典型开启延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为202.5nC。
Si7159DP-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。Si7159DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7160DP，带有SI制造的电路图。SI7160D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
SI7160DP-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8。SI7160DP-T1-E3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8、N沟道30V 20A（Tc）5W（Ta）、27.7W（Tc）表面安装PowerPAK？所以-8。
