- 应用范围：电源管理开关
- 特点：1.5伏栅极驱动电压
- 极性：P-ch
- 世代：U-MOSⅣ
- 内部连接：单个
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本/泰国
特色
- 装配底座：-1.0 V
- 装配底座：38 mΩ
- 装配底座：49 mΩ
- 装配底座：78 mΩ
- 装配底座：140 mΩ
- 装配底座：1484 pF
- 装配底座：22.3 nC
应用
电源管理开关
SSM3J120TU,LF
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: UFM 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥38.86540
-
数量:
- +
- 总计: ¥38.87
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 3-SMD，扁平引线
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 供应商设备包装 UFM
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4伏
- 导通电阻 Rds(ON) 38毫欧姆 @ 3A, 4V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22.3 nC@4 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1484 pF@10 V
SSM3J120TU,LF 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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SSM3J120TU,LF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SSM3J120TU,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SSM3J120TU,LF价格参考￥38.865401，你可以下载 SSM3J120TU,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SSM3J120TU,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
