9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB85NS04Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB85NS04Z参考价格为0.816美元。STMicroelectronics STB85NS04Z封装/规格：MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK。您可以下载STB85NS04Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB85NF55LT4是MOSFET N-Ch 55伏特80安培，包括STB85NF-55L系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为165 ns，Vgs栅源电压为15 V，Id连续漏电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为130S，沟道模式为增强型。
STB85NF55T4是MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为STB85NF55系列，该器件具有100纳秒的上升时间，漏极电阻Rds为8 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为80A，正向跨导最小值为120S，下降时间为35ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB85NF3LLT4是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK。STB85NF-3LLT4可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 85B D2PAK、N沟道30V 85C（Tc）110W（Tc）表面安装D2PAK。
STB85NF55带有ST制造的EDA/CAD模型。STB85NF-55采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
