9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB300NH02L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB300NH02L价格参考1.268598美元。STMicroelectronics STB300NH02L封装/规格：MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK。您可以下载STB300NH02L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB28NM50N是MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为52 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为+/-25 V，Id连续漏电流为21 a，Vds漏源击穿电压为500 V，Vgs的栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-源极电阻为158mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为13.6ns，Qg栅极电荷为50nC。
STB28NM60ND带有用户指南，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.13932 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为23.5 ns，以及92 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为21.5ns，Rds漏极-源极电阻为150mOhm，Qg栅极电荷为62.5nC，Pd功耗为190W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为23A，下降时间为27ns，配置为单一。
STB28NM50，带有ST制造的电路图。STB28NM5 0采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
STB2N60T4采用ST制造的EDA/CAD模型。STB2N60 T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
