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SSM3J307T(TE85L,F)

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSM 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥31.72390
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥31.72
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大功耗 700mW (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 31毫欧姆 @ 4A, 4.5V
  • 供应商设备包装 TSM
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1170 pF@10 V

SSM3J307T(TE85L,F) 产品详情

SSM3J307T(TE85L,F)所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3J307T(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3J307T(TE85L,F)价格参考¥31.723902,你可以下载 SSM3J307T(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3J307T(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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