9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7194DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7194DP-T1-GE3参考价格$4.994。Vishay Siliconix SI7194DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8。您可以下载SI7194DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7190DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表中显示了用于SI7190DP GE3的零件别名，该SI7190DP-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为96W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为2214pF@125V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为18.4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为118 mOhm@4.4A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为72nC@10V，Pd功耗为5.4W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns 9 ns，上升时间为14 ns 12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为250 V，Rds漏极源极电阻为118 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns 28ns，典型接通延迟时间为21ns 13ns，并且沟道模式为增强。
SI7192DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如41纳秒，典型的关闭延迟时间设计为86纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SI71xxDx系列，该器件的上升时间为26 ns，漏极-源极电阻Rds为1.85 mOhms，Pd功耗为6.25 W，零件别名为SI7192DP-GE3，封装为卷轴，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为60 A，正向跨导最小值为107 S，下降时间为32 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
SI7192DP。。带有电路图SI7192DP。。QFN8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI7192DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7192DP-T1-E3采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
