9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB40NS15T4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB40NS15T4参考价格为7.43美元。STMicroelectronics STB40NS15T4封装/规格：MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK。您可以下载STB40NS15T4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STB40NF20是MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有160 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为44 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为74ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为30S，沟道模式为增强。
STB40NF10LT4是MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为64 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为STB40NF10系列，该器件的上升时间为82 ns，漏极电阻Rds为30 mOhms，Pd功耗为150 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为25 S，下降时间为24 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB40NF10T4是MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于28ns，提供正向跨导最小特性，如20S，Id连续漏电流设计为在50A下工作，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-252-3封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为150 W，漏极电阻Rds为24 mOhms，上升时间为63 ns，系列为STB40NF10，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为84ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
STB40NK60Z带有ST制造的EDA/CAD模型。STB40NK60Z采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
