9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL6NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL6NM60N参考价格$8.214。STMicroelectronics STL6NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT。您可以下载STL6NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如STL6NM60N价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STL6N3LLH6是MOSFET N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFLAT-6，技术设计用于Si，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.4 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.4 ns，上升时间为11.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.4ns，典型接通延迟时间为4.8ns，Qg栅极电荷为3.6nC。
STL6N2VH5是MOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V，包括0.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于8 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，以及STripFET商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为N沟道STripFET，器件提供31 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有6 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为2.4 W，封装为卷轴式，封装盒为PowerFLAT-6，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，配置为单通道，通道模式为增强型。
STL6NK55Z带有ST制造的电路图。STL6NK55 Z采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
