9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7601DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7601DN-T1-GE3参考价格为12.676美元。Vishay Siliconix SI7601DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8。您可以下载SI7601DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7540DP-T1-E3是MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI7540DP-E3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET/PPowerPAK商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8双封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为单通道，FET类型为N和P通道，功率最大值为1.4W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为12V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7.6A、5.7A，最大Id Vgs的Rds为17mOhm@11.8A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为50 ns 42 ns，上升时间为50纳秒42 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为11.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Rds漏极源极电阻为14 m欧姆26 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为60ns 54ns，典型接通延迟时间为30ns 35ns，信道模式为增强。
SI7540DP-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于12 V，提供0.017870 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为30 ns 35 ns，该器件还可以用作1 N沟道1 P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SO-8双电源器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为50 ns 42 ns，Rds On Max Id Vgs为17 mOhm@11.8A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为14 mOhm 26 mOhm，功率最大值为1.4W，Pd功耗为3.5W，零件别名为SI7540DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为11.8 A，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，下降时间为50 ns 42 ns，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为7.6A、5.7A，配置为单一，并且信道模式是增强。
SI-7600-EL带有SK制造的电路图。SI-7600-EL以SOP封装形式提供，是IC芯片的一部分。
Si7601DN-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8。Si7601DN-T1-E3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8、P沟道20V 16A（Tc）3.8W（Ta）、52W（Tc）表面安装PowerPAK？1212-8.
