9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS4NF100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS4NF100参考价格$3.037。STMicroelectronics STS4NF100封装/规格：MOSFET N-CH 100V 4A 8SO。您可以下载STS4NF100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS4DPF20L是MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 P通道（双），最大功率为1.6W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1350pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为80mOhm@2A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为35纳秒，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为80 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为125ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
STS4DPF30L是MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于STripFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如80 mOhm@2A、10V，Power Max设计用于2W，以及Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1350pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
STS4N100，带有ST制造的电路图。STS4N1100采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
