9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD5802NT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVD5802NT4G参考价格为0.78000美元。onsemi NVD5802NT4G封装/规格：MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK。您可以下载NVD5802NT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD5490NLT4G是MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM，包括NVD5490NL系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有49 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为57 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为66mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为9.4ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导Min为15S。
带有用户指南的NVD5484NLT4G，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NVD5484NL，以及17 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有54 a的Id连续漏电流。
NVD5414NT4G是MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOH，包括24 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于to-252-3的封装情况，该封装提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在37 mOhms，以及NTD5414N系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.13932盎司，器件具有60 V的Vds漏极-源极击穿电压。
