这种N沟道增强型功率MOSFET得益于STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新改进,这减少了关键的对准步骤,从而提供了卓越的制造再现性。其结果是晶体管具有极高的封装密度、低导通电阻、崎岖的雪崩特性和低栅极电荷。
特色
- RDS(on)*Qginindustry基准
- 传导损耗降低
- 低剖面、非常低的寄生电阻
- 开关损耗减少
起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
这种N沟道增强型功率MOSFET得益于STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新改进,这减少了关键的对准步骤,从而提供了卓越的制造再现性。其结果是晶体管具有极高的封装密度、低导通电阻、崎岖的雪崩特性和低栅极电荷。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...