9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP8N65M5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP8N65M5参考价格2.91美元。STMicroelectronics STP8N65M5封装/规格：MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3。您可以下载STP8N65M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP85NF55是MOSFET N-CH 55V 80A TO-220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为120S，沟道模式为增强型。
STP85NF55L是MOSFET N-CH 55V 80A TO-220，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为165 ns，漏极电阻Rds为8 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，正向跨导最小值为130 S，下降时间为55 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP8703-TRG，电路图由SEMTRON-MICRO制造。STP8703-TRG采用SOT-23L封装，是IC芯片的一部分。
