9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTHD3133PFT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTHD3133PFT1G参考价格0.19000美元。onsemi NTHD3133PFT1G封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET。您可以下载NTHD3133PFT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTHD3102CT1G是MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A，包括NTHD3102C系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在8-SMD、扁平引线以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有ChipFET？供应商设备包，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为510pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4A、3.1A，Rds On Max Id Vgs为45 mOhm@4.4A，4.5V，Vgs th Max Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.9nC@4.5V，Pd功耗为600 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15.9 ns 16.9 ns，上升时间为15.9ns 16.9纳秒，Vgs栅极源极电压为8 V，Id连续漏极电流为5.5A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆80m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为16.4ns 15.7ns，典型接通延迟时间为7.2ns 6.4ns，正向跨导最小值为7.7S 5.9S，沟道模式为增强。
NTHD3101FT1G（PB FREE），带有ON制造的用户指南。NTHD3102FT1G（PBFREE）采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
NTHD310FT1G，带有ON制造的电路图。NTHD310FTIG采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
