9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD02N60ZT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD02N60ZT4G参考价格为0.27000美元。onsemi NDD02N60ZT4G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK。您可以下载NDD02N60ZT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NDD02N40-1G带有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.139332盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供39 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为5.5nC，正向跨导最小值为1.1S。
NDD02N60Z-1G是MOSFET N-CH 600V IPAK，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为4欧姆，器件提供10.1 nC Qg栅极电荷，器件具有57 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+125 C，Id连续漏电流为1.4 A，正向跨导最小值为1.7 S，配置为单一。
NDD02N40T4G带电路图，包括400 mA Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作。数据表注释中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-252-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及5.5欧姆Rds漏极源电阻，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为400 V。
