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FDD4685是MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2380pF@220V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8.4A（Ta），32A（Tc），最大Id Vgs为27mOhm@8.4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为27 nC@5V，Pd功耗为69 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-32A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型导通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
FDD4685_F085带有用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为34 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为15 ns，器件的漏极-源极电阻为27 mOhms，Pd功耗为69 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-32A，正向跨导最小值为23S，下降时间为14ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDD45AN06LA0是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 25A DPAK。FDD45AN06LA0可用于TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 25A DPak、N沟道60V 5.2A（Ta）、25A（Tc）55W（Tc。
FDD45AN06LAO，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDD45AN06LAO采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
