9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDFMJ2P023Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDFMJ2P023Z参考价格为18.988美元。onsemi FDFMJ2P023Z封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP。您可以下载FDFMJ2P023Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDFME2P823ZT是MOSFET-20V集成P-Ch PwrTrnch w/Sch二极管，包括卷轴封装，它们设计为在0.000889盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如microFET-6，技术设计为在Si中工作，该器件也可以作为肖特基二极管配置的单个器件使用。此外，晶体管类型为2 P沟道，器件提供1.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为4.8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-2.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为95mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型导通延迟时间为4.7ns，Qg栅极电荷为5.5nC，正向跨导最小值为7S。
FDFMA3P029Z是MOSFET PChan Sgl-30V-3.3A PowerTrench MOSFET，包括-1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.002116盎司，典型开启延迟时间设计为5.2 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，器件采用Si技术，器件具有3 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为87 mOhms，Qg栅极电荷为7.2 nC，Pd功耗为1.4 W，封装为卷轴式，封装盒为microFET-6，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-3.3 A，正向跨导最小值为6 S，下降时间为11 ns，配置为单肖特基二极管。
FDFME3N311ZT是MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET，包括增强信道模式，它们设计为使用肖特基二极管配置的单体工作，下降时间显示在数据表注释中，用于2.8 ns，提供正向跨导最小特性，如2.8 S，Id连续漏极电流设计为工作在1.6 a，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有封装盒的microFET-6，封装为卷轴，Pd功耗为1.1 W，漏极电阻为299 mOhms，上升时间为16 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.000889oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为12V。
FDFMA3W109，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDFMA3W109采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
