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SI779DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI779dP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有5.2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏极电流为25.3A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-电源电阻为4.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为42ns，沟道模式为增强。
SI7792DP-T1-GE3是MOSFET 30伏特60安培104瓦，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15纳秒，典型的关闭延迟时间设计为40纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为13 ns，器件的漏极-源极电阻为1.7 mOhm，Qg栅极电荷为90 nC，Pd功耗为104 W，零件别名为SI7792DP-GE3，封装为卷轴，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为60A，正向跨导Min为83S，下降时间为12ns，配置为单肖特基二极管。
SI7798DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7798DP-T1-E3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
SI7802DN-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8。SI7802DN-T1-E3在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8、N沟道250V 1.24 A（Ta）1.5W（Ta）表面安装PowerPAK？1212-8，Trans MOSFET N-CH 250V 1.24A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
