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NDD03N80ZT4G是MOSFET NFET DPAK 800V 2.9A 3.3，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供96 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为17nC，正向跨导最小值为2.1S。
NDD04N50Z-1G是MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作2.7欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为61 W，该器件采用管式封装，该器件具有IPAK-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3 a，配置为单体。
NDD03N80Z-1G是MOSFET NFET DPAK 800V 2.9A 4.5OH，包括2.9 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装外壳功能，如IPAK-3，封装设计用于管，以及4.5欧姆Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为800 V。
