特色
- ON电阻RDS（ON）=20mΩ（典型值）
- 4.0V驱动器
- 输入电容Cis=1780pF（典型值）
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用
2SK3703
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta），25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥63.27397
-
数量:
- +
- 总计: ¥63.27
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Ta)
- 供应商设备包装 TO-220ML
- 导通电阻 Rds(ON) 26毫欧姆@15A，10V
- 最大功耗 2W（Ta），25W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1780 pF@20 V
2SK3703 产品详情
2SK3703是一种N沟道功率MOSFET，60V，30A，26mΩ，TO-220F-3SG，用于通用开关器件应用。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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2SK3703所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK3703 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK3703价格参考￥63.273974，你可以下载 2SK3703中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK3703规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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