9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTB6412ANT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTB6412ANT4G价格参考1.36000美元。onsemi NTB6412ANT4G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK。您可以下载NTB6412ANT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTB6410ANT4G是MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH，包括NTB6410AN系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有188 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为190 ns，上升时间为170 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为76 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导Min为40S。
NTB6411AN带有ON制造的用户指南。NTB6411N可提供TO-252封装，是FET的一部分-单。
NTB6411ANT4G是ON公司制造的MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK。NTB6411ANT4G有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH100V 72B D2PAK、N沟道100V 77A（Tc）217W（Tc。
