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CSD16323Q3是MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有8-VSON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为1300pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为21A（Ta），60A（Tc），Rds On最大Id Vgs为4.5 mOhm@24A，8V，Vgs th最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.4nC@4.5V，Pd功耗为3 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为6.3 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs第N栅极-源极端电压为1.1 V，Rds漏极源极电阻为4.4 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为5.3ns，Qg栅极电荷为6.2nC，信道模式为增强。
CSD16322Q5C是MOSFET DualCool N沟道NexFET功率MOSFET，包括1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，具有典型的开启延迟时间特性，如6.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为12.3 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD16322Q5C系列，上升时间为10.7ns，Rds漏极-源极电阻为5.8mOhms，Qg栅极电荷为6.8nC，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴，封装盒为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为21 A，正向跨导最小值为106 S，下降时间为3.7 ns，配置为单一。
CSD16322Q5是MOSFET N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括单一配置，它们设计为在3.7 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了106 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如21 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-Clip-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.1W，Qg栅极电荷为6.8nC，漏极电阻Rds为4.6mOhm，上升时间为10.7ns，系列为CSD16322Q5，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为12.3ns，典型接通延迟时间为6.1ns，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为10V，Vgs栅-源极阈值电压为1.1V。
