9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD60R380C6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD60R380C6参考价格17.94美元。Infineon Technologies IPD60R380C6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3。您可以下载IPD60R380C6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPD60R1K5CEATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPD60R1 K5CE SP001276036零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为28 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为20 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为9.4nC，沟道模式为增强。
IPD60R2K1CEBTMA1带有用户指南，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及30 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有技术硅，上升时间为7ns，Rds漏极-源极电阻为2.1欧姆，Qg栅极电荷为6.7 nC，Pd功耗为22W，部件别名为IPD60R2K1CE SP001276038，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.3 A，下降时间为50 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD60R2K0C6是MOSFET N-Ch 650V 2.4A DPAK-2 CoolMOS C6，包括2.4 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数量设计为在1个通道中工作，以及to-252-3封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，零件别名为IPD60R2K0C6BTMA1 IPD60R2 K0C6XT SP000799132，该器件提供22.3 W Pd功耗，该器件具有1.8欧姆的Rds漏极-源极电阻，系列为CoolMOS C6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
