起订量: 1
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SJ598-ZK-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），23W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度 | ¥7.17047 |
| 2SJ358C-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE | ¥5.60811 |
| 2SJ358-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET | ¥5.60811 |
| 2SJ529L06-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF | ¥6.8147 |
| 2SJ635-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥2.63642 |
| 2SJ607-ZJ-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ607-ZJ-AZ - SWITCHING P-CHANN | ¥31.41108 |
| 2SJ604-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-Z-AZ - SWITCHING P-CHANNE | ¥13.10661 |
| 2SJ604-ZJ-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH | ¥15.66777 |
 | 2SJ681(Q) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 20W（Ta） 供应商设备包装: PW-MOLD2 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.8349 |
| 2SJ532-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET, | ¥14.38744 |
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