9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFSL4310ZPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFSL4310ZPBF价格参考1.492美元。Infineon Technologies IRFSL4310ZPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 120A TO262。您可以下载IRFSL4310ZPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFSL4229PBF是MOSFET N-CH 250V 45A TO-262，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.084199盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供330 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为21 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为45 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极漏极-漏极电阻为48mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为72nC，正向跨导Min为83S，沟道模式为增强。
IRFSL4310PBF是MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作5.6毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为170 nC，器件提供330 W Pd功耗，器件具有封装管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为140 a。
IRFSL4310带有由IR制造的电路图。IRFSL4310TO-262封装，是FET的一部分-单个。
