特色
- 低RDS（打开）
- 最小化传导损耗
- 低电容
- 将驾驶员损失降至最低
- 占地面积小（3.3 x 3.3 mm）
- 紧凑型设计
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换器
- 同步整流
- ORing场效应晶体管
- 直流电机控制
NTTFS5811NLTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、53A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、33W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 9000
- 单价: ¥114.69856
-
数量:
- +
- 总计: ¥114.70
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1570 pF@25 V
- 最大功耗 2.7W（Ta）、33W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 17A（Ta）、53A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 6.4毫欧姆 @ 20A, 10V
NTTFS5811NLTAG 产品详情
功率MOSFET40 V，40 A，6.7 mΩ，单N通道
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| NTTP81DA-C | Ciena NTTP81DA Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTTP07FFE6-I-C | Ciena NTTP07FFE6-I Compatible TA | ¥0.00 | |
| NTTP84AAE6-C | Ciena NTTP84AAE6 Compatible TAA | ¥0.00 | |
| NTTP58BD-C | Ciena NTTP58BD Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP51BD-IO | SFP 1G LX CIENA | ¥0.00 | |
| NTTP84HH-C | Ciena NTTP84HH Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-IO | XFP 10G ER CIENA | ¥0.00 |
NTTFS5811NLTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTTFS5811NLTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTTFS5811NLTAG价格参考￥114.698564，你可以下载 NTTFS5811NLTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTTFS5811NLTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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