9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD04N60Z-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD04N60Z-1G参考价格为0.36000美元。onsemi NDD04N60Z-1G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK。您可以下载NDD04N60Z-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NDD04N60Z-1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NDD04N50Z-1G是MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK，包括管封装，其设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供61 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Rds漏极源极电阻为2.7欧姆，并且晶体管极性是N沟道。
NDD04N50ZT4G是MOSFET N-CH 500V 3A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作2.7欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为61W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3 a，配置为单一。
NDD04N60Z，带有ON制造的电路图。NDD04S60Z以TO-252封装形式提供，是FET的一部分-单个。
