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NDD04N60ZT4G是MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.139332盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在DPAK-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为83W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为640pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.1A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@2A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@10V，Pd功耗为83 W，Id连续漏极电流为4.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5 V，漏极-源极电阻Rds为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为19nC，正向跨导Min为3.3S。
NDD04N60Z-1G是MOSFET N-CH 600V 4A IPAK，包括4.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作1.8欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为19 nC，该器件提供83 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为4.1 a，正向跨导最小值为3.3 S，配置为单通道。
NDD04N60ZG，带有ON制造的电路图。NDD04S60ZG采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
