9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTB6411ANG，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTB6411ANG价格参考1.60000美元。onsemi NTB6411ANG封装/规格：MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK。您可以下载NTB6411ANG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTB6410ANG是MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH，包括NTB6410AN系列，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有188 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为190 ns，上升时间为170 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为76 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导Min为40S。
NTB6410ANT4G是MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH，包括2 V至4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型的开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的NTB6410AN，上升时间为170ns，Rds漏极-源极电阻为11mOhms，Qg栅极电荷为120nC，Pd功耗为188W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为76 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为190 ns，配置为单一。
NTB6410AN，带有ON制造的电路图。NTB6410ANTO263封装，是FET的一部分-单个。
NTB6411AN带有ON公司制造的EDA/CAD模型。NTB6411N采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
