9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP10NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP10NM50N参考价格$8.088。STMicroelectronics STP10NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 7A TO220。您可以下载STP10NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STP10NM50N价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STP10NK80ZFP是MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.071959盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为2180pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为900 mOhm@4.5A，10V，Vgs的最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V，Pd功耗为40 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型导通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为72nC，并且前向跨导Min为9.6S，并且信道模式为增强。
STP10NK80Z是MOSFET N-CH 800V 9A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件具有20 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为900 mOhms，Qg栅极电荷为72 nC，Pd功耗为160 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为9 A，正向跨导最小值为9.6 S，下降时间为17 ns，配置为单一，信道模式为增强。
STP10NK90带有ST制造的电路图。STP10NK90TO-220封装，是IC芯片的一部分。
