9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPI11N60CFDHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPI11N60CFDHKSA1参考价格为0.746美元。Infineon Technologies SPI11N60CFDHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3。您可以下载SPI11N60CFDHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPI11N60C3是MOSFET N-Ch 600V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3，包括CoolMOS C3-系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000680986 SPI11N6OC3HKSA1 SPI11N60X3XK SPI11N63C3XKSA1，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的SPI11N60C3XKSA1，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于CoolMOS以及Si技术，该器件也可作为SPI11N60系列使用。此外，Rds漏极源极电阻为380 mOhms，该器件以SP000680986 SPI11N60C3 SPI11N6OC3XK零件别名提供，该器件具有封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为11 a。
SPI11N60C2，带有INFINEON制造的电路图。SPI11N60C2采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
SPI11N60CFD是INFINEON制造的MOSFET N-CH 650V 11A TO-262。SPI11N60CFD有TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 650V 11A TO-262。
