9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR866DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR866DP-T1-GE3参考价格为1.452美元。Vishay Siliconix SIR866DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR866DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR862DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8，包括卷轴封装，它们设计为以0.017870盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在SO-8中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有5.2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为32 a，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，漏极-源极电阻Rds为2.8毫欧，晶体管极性为N沟道。
SIR866DP带有SI制造的用户指南。SIR866DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
SIR866DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIR866DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
