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IPP60R520E6是MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220，包括CoolMOS E6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP60R420E6XK IPP60R5 20E6XKSA1 SP000797294，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为66 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds漏极上-源极电阻为470mOhms，晶体管极性为N沟道。
IPP60R600E6是MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件的漏极电阻为540 mOhms Rds，该器件具有63 W的Pd功耗，零件别名为IPP60R600E6XK IPP60E6XKSA1 SP000797630，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7.3 A。
IPP60R520CP是INFINEON制造的MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220。IPP60R520CP采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220。
IPP60R600C6是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220。IPP60R600C6采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220。
