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IPP60R600E6是MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220，包括CoolMOS E6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP60R700E6XK IPP60R000E6XKSA1 SP000797630中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为63 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.3 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds漏极上-源极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道。
IPP60R750E6是MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件的漏极电阻为680 mOhms Rds，该器件具有48 W的Pd功耗，零件别名为IPP60R750E6XK IPP60R650E6XKSA1 SP000842482，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5.7 A。
IPP60R600P6是MOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM，包括100 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及IPP60R700P6XKSA1 SP001017054零件别名，该器件也可以用作600欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600伏。
IPP60R600C6是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220。IPP60R600C6采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220。
