英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRF5806TRPBF
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: Micro6（TSOP-6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 1035
- 单价: ¥0.98721
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.99
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 供应商设备包装 Micro6（TSOP-6）
- 最大功耗 2W（Ta）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 86毫欧姆 @ 4A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.4 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 594 pF @ 15 V
IRF5806TRPBF 产品详情
P沟道功率MOSFET 12V至20V，Infineon
IRF5806TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF5806TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF5806TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF5806TRPBF价格参考￥0.987207，你可以下载 IRF5806TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF5806TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
