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IPP65R380C6是MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP65R480C6XK IPP55R380C6XKSA1 SP000785082中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110nS，Qg栅极电荷为39nC。
IPP65R380E6是MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于700 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件的漏极电阻为340 mOhms Rds，该器件具有83 W的Pd功耗，零件别名为IPP65R380E6XK IPP65R180E6XKSA1 SP000795280，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10.6 A。
带有电路图的IPP65R310CFDXKSA1，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPP65R510CFD IPP65R410CFDXK SP000745028，该系列设计用于XPP65R310，以及Si技术，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPP65R310FD，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPP65R310FD采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
