9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4170DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4170DY-T1-GE3参考价格为2.006美元。Vishay Siliconix SI4170DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A 8SO。您可以下载SI4170DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4166DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4166DY GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为20.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为65S，沟道模式为增强。
SI4168DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在14 ns上升时间内提供，器件具有6.2 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI4168DY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，正向跨导最小值为90 S，下降时间为15 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强型。
SI4168DY，带有VISHAY制造的电路图。SI4168DY在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4168DY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4168DY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
