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IPP65R600C6是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP65R700C6XK IPP55R600C6XKSA1 SP000661310中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为63 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80nS，Qg栅极电荷为23nC。
IPP65R600E6是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于700 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件的漏极电阻为540 mOhms Rds，该器件具有63 W的Pd功耗，零件别名为IPP65R600E6XK IPP65R700E6XKSA1 SP000850500，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7.3 A。
IPP65R600C6XKSA1是MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。包装如数据表中所示，用于管中，提供部件别名功能，如IPP65R500C6 IPP65R700C6XK SP000661310，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPP65R600E带有INF/EDA/CAD型号。IPP65R700E采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220。
